Ricercatori dell’Università della Pennsylvania (divisione materiali Electro-Optics Center – EOC) sono stati in grado di realizzare un wafer al grafene (materiale costituito da uno strato monoatomico di atomi di carbonio) del diametro di 100 millimetri. Questo è un grande passo avanti per l’uso del grafene nei dispositivi elettronici di prossima generazione.

Un transistor in grafene infatti è in grado di produrre un segnale pulito e privo di disturbi, mentre i moltiplicatori realizzati in silicio utilizzati attualmente sono soggetti a rumori di segnale. Per ovviare a questo rumore, si è costretti a ricorrere a flitri che, oltre a richiedere energia supplementare, riducono l’efficienza dell’architettura della CPU ed occupano spazio.

La grafene è uno strato di carbonio dello spessore di un atomo strutturato a nido d’ape. Le proprietà ottiche, termiche e meccaniche attualmente non sono state ancora esplorate, ma sicuramente in futuro saranno utilizzate in molteplici applicazioni.

I ricercatori affermano che nel giro di un paio di anni la tecnologia renderà possibile la commercializzazione di questi processori super-veloci in grado di rivoluzionare il mondo dei microprocessori.

Grazie alle ottime proprietà di questo materiale, già si parla delle sue grandi potenzialità relative alla dicitura “terahertz computing”, grazie al grafene si potranno avere processori da 100 a 1000 volte più veloci rispetto a quelli basati sul silicio.

L’Università della Pennsylvania ha già prodotto transistor a effetto di campo RF su wafer al grafene da 100mm. I ricercatori stanno lavorando anche per migliorare la mobilità degli elettroni, portandola vicino a un limite teorico che corrisponde a circa 100 volte di più rispetto a quella del silicio.

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